森未科技

        成都森未科技有限公司（以下简称“森未科技”)成立于2017年7月，先后被认定为国家高新技术企业、成都市集成电路设计企业、成都市高新区雏鹰企业，致力于先进功率半导体器件的国产化。

        森未科技核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成，长期专注于功率半导体器件研发,深耕IGBT芯片技术和产业化近10年，累计取得相关技术专利40多项，成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，是国内产品线覆盖最广的IGBT功率半导体公司之一。森未科技的芯片产品全面采用沟槽栅+场截止技术，并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。

        森未科技研发团队组建自2012年，同年完成首颗Planar-FS IGBT芯片研制，2014年在6英寸晶圆线上实现Trench-NPT IGBT芯片研制，2015年完成Trench-FS IGBT芯片技术攻关，2016年8英寸晶圆线上实现首颗定制化的1200V/100A Trench-FS IGBT芯片量产，至2018年研发团队已经完成600V~1700VIGBT芯片的系列化开发，并逐步实现产品转化和量产供应。2019年围绕精细化Trench技术、新型FS技术、CS技术、RC技术等进行攻关，并发布具有第七代技术特征的IGBT芯片，研究方向同步国际先进水平。2022年，公司将向着超高密度IGBT及SiC功率器件技术开展研发。